【6740】ＪＤＩ
世界初 第6世代量産ラインにて従来比4倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体TFTを実現
2022-03-30(15:00)
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2022 年 3 月 30 日 各 位 会 社 名 株式会社ジャパンディスプレイ 代表者名 代表執行役会長 CEO スコット キャロン （コード番号 6740 東証一部） 問合せ先 代表執行役 CFO 大河内 聡人 （TEL. 03-6732-8100）
世界初 第 6 世代量産ラインにて従来比 4 倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体 TFT を実現 ― 多様な分野におけるディスプレイ性能の革新的向上 ― 当社は、この度、茂原工場（千葉県茂原市）の第 6 世代（G6）量産ラインにて、従来の酸化物半導体 薄膜トランジスタ（OS-TFT 1）技術に革新的な特性向上を実現するバックプレーン技術（以下「本新技 術」といいます。 ）の開発に世界で初めて 2成功いたしました。また、本日、本新技術の事業化を決定い たしましたので、以下のとおりお知らせいたします。 １．本新技術の内容 本新技術は、電界効果移動度が、従来の OS-TFT 技術と比較して 2 倍以上となる高移動度酸化物半導 体（HMO、High Mobility Oxide）技術、及び 4 倍以上となる超高移動度酸化物半導体（UHMO、Ultra High Mobility Oxide） 技術です。 UHMO 技術においては、 電界効果移動度 52cm2/Vs という、 酸化物半導体 TFT としては非常に高速な特性を量産ラインに
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