【6521】Ｍ－オキサイド
GaNエピタキシャル薄膜成長用単結晶基板「SAM」のサンプル出荷開始に関するお知らせ
2021-06-18(16:00)
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2021 年 6 月 18 日 各 位 会 社 名 株 式 会 社 オ キ サ イ ド 代 表 者 名 代表取締役社長（CEO） 問 合 せ 先 取締役副社長（CFO） 管理本部長 古 川 保 典
（コード番号：6521 東証マザーズ） 山 本 正 幸
（TEL. 0551-26-0022） GaN エピタキシャル薄膜成長用単結晶基板「SAM」のサンプル出荷開始に関するお知らせ 株式会社オキサイド（以下、 「オキサイド」といいます)は、半導体材料である GaN 薄膜単結晶の成長に 適した新材料単結晶基板「SAM」について、サンプル出荷を開始することを決定いたしました。 1. 新製品等の内容 窒化ガリウム（GaN）薄膜単結晶i（以下、 「GaN」といいます）は、青色発光ダイオードとして普及し ていますが、最近では可視光レーザやパワーデバイスii用の半導体材料としても研究開発がすすみ、一 部は実用化が始まっております。一般に GaN は、エピタキシャル成長法iiiにより製造されており、本成 長のための単結晶基板材料として、サファイア単結晶基板（以下、 「サファイア」といいます）が多く 用いられております。 しかしながら、 サファイアは GaN との格子定数ivおよび熱膨張率vのミスマッチが 大きく、さらに、基板自体の転位密度viが高いことから、成長した GaN には格子欠陥が多く、
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